会社概要

基本情報

• 社名: サムコ株式会社
• 本社所在地: 京都府京都市
• 代表者: 辻 理

企業理念

サムコは薄膜技術で世界の産業科学に貢献します

役員

• 辻 理
• 川邊 史
• 山下 晴彦
• 宮本 省三
• 佐藤 清志

監査役

• 村上 正紀
• 高須 秀視
• 藤田 静雄
• 桺本 依子
• 辻村 茂
• 西尾 方宏
• 木村 学

事業内容

サムコは、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）を用いた次世代パワーデバイス分野、半導体レーザー、LEDなどのオプトエレクトロニクス分野、高周波フィルタ、コンデンサなどの電子部品分野へ、最先端のCVD装置、ドライエッチング装置、ドライ洗浄装置を提供しています。

沿革

1988年 - 化合物半導体プロセス専用ICPエッチング装置 RIE-140iP/iPC
2002年 - 液化有機ケイ素化合物を用いたプラズマCVDによるSiN成膜技術
2005年 - Boschプロセス用ICPエッチング装置と絶窒膜形成用CVD装置の3次元実装への応用
2007年 - Properties of SiCN films prepared by Cathode Coupled PE-CVD Using Liquid Source Material
2008年 - 化合物半導体プロセス専用ICPエッチング装置 RIE-140iP/iPC
2009年 - SAMCO One Stop Solutionの紹介
2010年 - 化合物半導体のディープエッチング
2011年 - SiO2、SiC高速エッチングプロセスデータ
2012年 - 研究開発用　高速シリコンディープエッチング装置　RIE-400iPB プロセスデータ
2013年 - マイクロLED向けICPエッチングの加工例
2014年 - 多種多様な材料のプラズマダイシング ―メタル、樹脂付Siウエハーから化合物半導体まで―
2015年 - PD-270STLCを用いた電子部品向けTEOS-SiO2成膜
2016年 - 窒化物のバルク基板への取り組み
2017年 - GaNエピタキシャル薄膜とALD薄膜の界面準位密度
2018年 - Aqua Plasmaによる酸化銅の還元
2019年 - 接着剤や加熱を用いないCOP製マイクロ流体チップの実現
2020年 - マイクロバンプへのAqua Plasmaの応用
2021年 - ALD（Atomic Layer Deposition）装置によるHfO2、ZrO2の成膜
2022年 - 電子デバイス製造向けクラスターツールシステム「クラスターH™」の販売を開始
2023年 - 3室CVD装置「PD-2203LC」の紹介
2024年 - トレンチ型SiC MOSFETの実現に向けたICPエッチング技術
2025年 - 原子層レベルのエッチング制御、Atomic Layer Etching装置の紹介

情報取得日時: 2026-01-26 05:55
情報取得元: https://www.samco.co.jp/