会社概要

基本情報

• 社名: 株式会社オネスト
• 本社所在地: 〒160-0023 東京都新宿区西新宿三丁目3番-13号 西新宿水間ビル6階
• 設立: 2022年6月23日
• 資本金: 1,000万円

企業理念

丁寧な対応
お客様の声に常に真摯に耳を傾け、商品開発とサービスに活かしてまいります
環境の配慮
地球環境に配慮し、地域社会に貢献します
高品質・短納期
お客様にあった商品を高品質・短納期にてご用意致します

事業内容

ガラス基板
光学・電子デバイス用途に最適なガラス基板を取り扱っています。
石英ガラス（合成石英・溶融石英）、ホウケイ酸ガラス（Borofloat®等）
アルミノシリケートガラスなど、
用途に応じた材質・厚み・面精度・加工対応が可能です。
透明性・熱安定性・化学耐性に優れた製品をご提供します。
各種ケース
シリコン・SiC・ガラス・化合物基板の搬送・保管用に
最適なウェハケースをご用意。サイズは1〜12インチに対応し、クリーン環境下でも使用可能な防塵・耐薬品性に優れた材質（PP、PFA等）を採用。ノッチ位置保持やロック機構など各種仕様にも対応可能です。
加工＆検査
パワーデバイス向け高純度SiCウェハ。
低欠陥密度・高結晶性を確保し
各種カスタム仕様に対応可能です。
SICウェハ
パワーデバイス向け高純度SiCウェハ。
低欠陥密度・高結晶性を確保し
各種カスタム仕様に対応可能です。
サファイア基板
2〜8インチ対応の単結晶サファイア基板。
LED・RF用途に最適な高品質サファイア基板。C面・A面・R面など各種面方位、エピ対応研磨にも対応可能です。
化合物基板
GaN、GaAs、InP、LT、LNなど各種化合物基板を取り扱い。
用途に応じた面方位・サイズ指定・研磨対応が可能です。
光・通信・パワーデバイス向け各種化合物基板をラインナップ。結晶性・表面処理など細かな仕様にも対応。
Siウェハ
1〜12インチ対応。
導電型・抵抗率・面方位など、用途に応じた
オーダーメイドのシリコンウェハを提供致します。
成膜ウェハ
1〜12インチ対応。
PVD・CVD・熱酸化膜・蒸着・ALDなど
各種成膜ウェハを用途に合わせてご提供致します。
パターンウェハ
各種リソグラフィー・エッチングに対応した
試験用パターンウェハ。
寸法精度・膜厚管理に優れた設計対応が可能です。

強み

• お客様に合わせた対応力
  小ロット1枚から対応可能研究・開発用途など、少量のご要望にも柔軟に対応。1枚単位からのご注文も歓迎しております。お気軽にご相談ください。
  多種多様な商材の取り扱い
  多様な材質・サイズに対応シリコン、SiC、GaN、サファイア、ガラスなど幅広い基板材料を取り扱い。1〜12インチまで、各種カスタム仕様にも対応いたします。
  アフターサポート
  技術サポートと迅速な対応仕様や用途に応じた最適な製品選定のサポートを行っております。お急ぎの納期にも柔軟にご対応いたします

お問い合わせ先

• 電話: 050-8885-7592
• FAX: 050-3142-9795

情報取得日時: 2026-02-28 22:54
情報取得元: https://honest-tech.co.jp/