（RE-06234）ITER NBI用高電圧電源機器保護と接地検討【掲載期間：2025-07-03～2025-07-23】

（RE-06234）ITER NBI用高電圧電源機器保護と接地検討【掲載期間：2025-07-03～2025-07-23】 公告期間： ～ ( )に付します。 1．競争入札に付する事項仕様書のとおり２．入札書等の提出場所等入札説明書等の交付場所及び入札書等の提出場所並びに問い合わせ先(ダイヤルイン)入札説明書等の交付方法上記２．(1)に記載の交付場所または電子メールにより交付する。 ただし、交付は土曜,日曜,祝日及び年末年始(12月29日～1月3日)を除く平日に行う。 電子メールでの交付希望の場合は、「 公告日,契約管理番号,入札件名,当機構担当者名,貴社名,住所,担当者所属,氏名,電話,FAX,E-Mail 」を記載し、上記２．(1)のｱﾄﾞﾚｽに送信。 交付の受付期限は の17:00までとする。 入札説明会の日時及び場所参考見積書類及び技術審査資料 の提出期限入札及び開札の日時及び場所(3)(5)令和8年3月19日国立研究開発法人 量子科学技術研究開発機構 那珂フュージョン科学技術研究所履 行 期 限助川 辰樹那珂フュージョン科学技術研究所(1)(2)履 行 場 所(4)ＦＡＸ 050-3730-8549令和 7 年 8 月 21 日 (木)管理研究棟１階 入札室(114号室) 那珂フュージョン科学技術研究所令和 7 年 7 月 24 日 (木) 15時00分14時30分実 施 し な い令和 7 年 7 月 23 日029-210-2389(水)RE-06234令 和 7 年 7 月 3 日(3)(4)(5)(2)記茨城県那珂市向山８０１番地１nyuusatsu_naka@qst.go.jp契約管理番号茨城県那珂市向山８０１番地１E-mail：ＴＥＬ那珂フュージョン科学技術研究所管理部契約課件 名内 容〒311-0193管 理 部 長 山農 宏之ITER NBI用高電圧電源機器保護と接地検討(1)一般競争入札 下記のとおり国立研究開発法人 量子科学技術研究開発機構R7.7.3入 札 公 告 (郵便入札可)R7.7.23 請負３．競争に参加する者に必要な資格当機構から指名停止措置を受けている期間中の者でないこと。 全省庁統一競争入札参加資格を有する者であること。 当機構が別に指定する誓約書に暴力団等に該当しない旨の誓約をできること。 ４．入札保証金及び契約保証金 免除５．入札の無効入札参加に必要な資格のない者のした入札入札の条件に違反した者の入札６．契約書等作成の要否７．落札者の決定方法８．その他その他、詳細については、入札説明書によるため、必ず上記２．(2)により、 入札説明書の交付を受けること。 本入札に関しての質問書は、 15:00までに上記問い合わせ先宛てに提出すること。なお、質問に対する回答は 中に当機構ホームページにおいて掲載する。 本件以外にも、当機構ホームページ(調達情報)において、今後の「調達予定情報」を掲載していますのでご確認ください。 (掲載箇所URL：https://www.qst.go.jp/site/procurement/)以上 公告する。 (5)(5) 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 契約事務取扱細則第10条の規定に該当しない者であること。ただし、未成年者、被保佐人又は被補助人であって、契約締結のために必要な同意を得ている者についてはこの限りでない。 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 契約事務取扱細則第11条第１項の規定に該当しない者であること。 本契約締結にあたっては、当機構の定める契約書(契約金額が500万円以上の場合)もしくは請書(契約金額が200万円以上500万円未満の場合)を作成するものとする。 技術審査に合格し、予定価格の制限の範囲内で、最低価格をもって有効な入札を行った入札者を落札者とする。 (最低価格落札方式)(2)(1)(2)(3)(4)(1)(1)(2) 落札決定に当っては、入札書に記載した金額に当該金額の10パーセントに相当する額を加算した金額(当該金額に1円未満の端数があるときは、その端数を切り捨てた金額とする)をもって落札価格とするので、入札者は、消費税に係る課税事業者であるか免税事業者であるかを問わず、見積もった金額の110分の100に相当する金額を入札書に記載すること。 (4) 令和7年7月10日 (木)(2)前項の誓約書を提出せず、又は虚偽の誓約をし、若しくは誓約書に反することとなったときは、当該者の入札を無効とするものとする。 (3)(1)この入札に参加を希望する者は、参考見積書等の提出時に、当機構が別に指定する暴力団等に該当しない旨の誓約書を提出しなければならない。 令和7年7月15日 (火) ITER NBI用高電圧電源機器保護と接地検討仕様書国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構那珂フュージョン科学技術研究所ITERプロジェクト部 NB加熱開発グループ11. 一般仕様1.1. 件名ITER NBI用高電圧電源機器保護と接地検討1.2. 目的国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構(以下「QST」という。) は、ITER 計画において、ITER の主要なプラズマ加熱・電流駆動装置である中性粒子入射装置(以下「NBI」という。)用の1MV高電圧電源、高電圧(以下「HV」という。)ブッシングの調達を担当する。1MV高電圧電源は、エネルギー1 MeV、電流40 Aの重水素負イオンビームを発生するための大電力電源システムであり、インバータ電源、日本が調達する昇圧変圧器と整流器からなる直流発生器(以下「DCG」という。)、過電圧とリップル低減のための直流フィルター(以下「DCF」という。)、ガス絶縁により直流高電圧をビーム源に伝送するための伝送ライン(以下「TL」という。)、冷却水及びガスを 1 MV 電位上にあるビーム源に絶縁して供給するためのウォータチョークや重水素ガスを絶縁して供給するガス導入系を内包する高電位デッキ 2(以下「HVD2」という。)、1 MV の高電位上に設置される高電位デッキ 1(以下「HVD1」という。)内に格納される負イオン生成用電源に設置側から交流電力を供給するための1 MV絶縁変圧器、そしてビーム源が設置される真空領域と TLの絶縁ガス領域間の圧力隔壁となり、かつ 1MV を絶縁しながらビーム源に電力を供給する絶縁端子の役割を担う HV ブッシングで構成される。このうち、インバータ電源と HVD1 は欧州が調達し、DCG、DCFなどの高電圧部は日本が調達する。本件は、ITER NBI 用高電圧電源機器の設計、調達、NBTF における統合試験実施に向け、JT-60等、既存のNBI の電源機器を参照に、サージ電圧発生時に高電圧電源機器の保護に必要な対策の検討を行うとともに、接地の影響を検討し、ITER NBI用高電圧電源の円滑な調達に資するものである。1.3. 作業実施場所受注者事業所内及びQST 那珂フュージョン科学技術研究所 NB加熱開発グループ内(茨城県那珂市向山801-1)1.4. 納期令和8年3月19日1.5. 作業内容本件は、下記に示すITER NBI及びNBTF高電圧電源機器に関する設計検討を行うものである。詳細は2項の技術仕様によるものとする。- 高電圧電源の保護システムの検討- ITER NBI高電圧電源機器の接地系統の検討- 短絡発生個所によらず、サージを計測するための技術検討- 高電圧電源の個別機器の保護検討- 上記の技術検討に必要な既設NBI機器の調査検討- 提出図書の作成1.6. 品質管理受注者は、以下の項目のうち、本件の履行に係る項目について十分な品質管理を行うこと。(1) 業務実施計画(2) 契約内容の確認(変更管理を含む。)(3) 設計管理・設計レビュー・設計変更管理2(4) コンピュータプログラム及びデータの管理(5) 不適合の管理(6) 作業従事者の力量(7) 文書及び記録管理1.7. 支給品及び貸与品(1) 支給品なし(2) 貸与品(すべて無償)− 計算機： Windows PC(1式)− ソフトウェア：Microsoft office、Adobe Acrobat、AutoCAD他、本作業に必要なソフトウェア(1式)− NBTFに関する技術資料、図面、試験データ：1式− ITER NBIの設計要求に関する技術資料：1式上記の貸与品は、1.3 項に示す作業実施場所のうち那珂フュージョン科学技術研究所においてのみ使用し、契約終了後は返却すること。また、作業実施場所ではインターネット及び電子メールは使用できるが、本作業に関連する調査、連絡等に限るものする。QST のネットワーク利用時には、関連規程を厳守して、情報の流失等の防止に努めること。計算機及びソフトウェアの使用に当たっても同様とする。1.8. 提出図書下表に定める図書を提出すること。なお、電子ファイルの形式は、Microsoft officeとし、CD-R等の媒体に記録して提出すること。作成した CAD データ等がある場合は併せて提出すること。なお、進捗報告書は電子メールによる提出で可とする。*下請負等がある場合に提出すること。QST指定様式を用いること。(提出場所)QST 那珂フュージョン科学技術研究所 JT-60実験準備棟 NB加熱開発グループ進捗報告書及び作業報告書はQSTの確認を要しないが、QSTが内容の修正を指示した場合は迅速に対応すること。(確認方法)「再委託承諾願」は、QSTの確認後、書面にて回答するものとする。1.9. 検査条件1.4項に定める納期までに1.8項に定める提出図書が納入されていること及び仕様書に定める作業が完了したとQSTが認めたときをもって検査合格とする。1.10. 知的財産権、技術情報、成果公開の取扱い本契約に関して発生する知的財産権、技術情報及び成果の取扱いは、次によるものとする。(1) 知的財産権本契約に関して発生する産業財産権の取扱いについては、別紙「知的財産権特約条項」に定められたとおりとする。提出図書 提出期限 部数 確認進捗報告書 毎月末 電子ファイル1式 不要作業報告書 作業終了後速やかに 印刷物1部及び電子ファイル1式 不要再委託承諾願* 作業開始2週間前 1式 要3(2) 技術情報の開示制限受注者は、本契約を実施することにより得た技術情報を第三者に対して開示しようとするときは、あらかじめ書面により QSTの承認を得なければならないものとする。QST が本契約に関し、その目的を達成するため受注者の保有する技術情報を了知する必要が生じた場合は、QSTと受注者間で協議の上、受注者は当該技術情報を無償でQSTに提供するものとする。(3) 成果の公開受注者は、本契約に基づく業務の内容及び成果について、発表若しくは公開し、又は特定の第三者に提示しようとするときは、あらかじめ書面により QST の承認を得なければならないものとする。1.11. グリーン購入法の推進(1) 本契約において、グリーン購入法(国等による環境物品等の調達の推進等に関する法律)に適用する環境物品(事務用品、OA 機器等)が発生する場合は、これを採用するものとする。(2) 本仕様に定める提出書類のうち印刷物については、グリーン購入法の基本方針に定める「紙類」の基準を満たしたものとする。1.12. 協議本仕様に記載されている事項及び本仕様書に記載のない事項について疑義が生じた場合は、QSTと協議の上、その決定に従うものとする。42. 技術仕様2.1. 一般事項 本件は、フランス/サン・ポール・レ・デュランスに建設されるITER NBIの高電圧電源機器調達及びイタリア/パドヴァに建設されたNBTFの高電圧電源機器の統合試験実施に向け、確実な性能発揮、品質向上を図り、ITERプロジェクトにおける日本の責務を確実に果たすことを目的として実施するものである。 検討内容の前提条件や境界条件等は、QST 担当者と協議の上明確にして作業を実施すること。 QST担当者と協議内容は当該月の進捗報告書に記載すること。2.2. 対象機器本作業の対象機器は、ITER NBI用1MV高電圧電源機器のうち以下に示す日本調達機器である。なお、記載の台数はNBI 1基あたりの台数であり、ITERではNBIが2基設置される。 必要に応じてイタリア・パドバに建設したITER NB実機試験施設(NBTF)における、これまでの試験データ等を参照して検討を実施すること。ITER NBI の鳥瞰図を図 1 に、ITER NBI 用1MV高電圧電源の回路図を図2に示す。- DCG(5台)- DCF(1台)- TL(伝送ライン)1～3(1台)- 1 MV絶縁変圧器(1台)- HVD2(高電位デッキ2)(1台)- 試験用電源(TPS)(1台)- 模擬負荷抵抗器(DL)(1台)- 短絡ギャップ(SCD)(1台)- HVブッシング(1台)- 空気循環器(1台)各機器の概略を以下に記す。(1) DCGDCG は、昇圧変圧器とその交流出力を整流して直流高電圧を発生させるダイオード整流器から構成され、NBI 1 基あたり計 5 台で構成されている。整流器は架台で支持され昇圧変圧器上部に設置されている。DCGは、各段で直流200 kVを発生し、接地電位側から出力を5段直列に接続して、最終段で1 MVの出力を得る。なお、接地電位(0 V)側から DCG5、DCG4、DCG3、DCG2、DCG1 と称する。DCGの変圧器部は油絶縁で、ダイオード整流回路部はSF6ガスで電気絶縁するため圧力容器内に設置される。(2) DCFDCFは 0.2～1MVの 5 つの高電圧出力から脈動を除去するフィルターであり、1 つの圧力容器に各電位用の電圧・電流出力の計測系、非線形抵抗を用いた過電圧防止回路、抵抗とコンデンサからなるリップル平滑化回路が絶縁距離を確保して配置されており、5 気圧(ゲ－ジ圧)のSF6ガスを充填して使用する。(3) TL1～3直径が約2 mの圧力容器がおよそ20台連結され、内部には最大1MVの高電圧導体及び負イオン生成用電力導体を配置した高電圧伝送管であり、全長は約100 mに達する。 1 MVを絶縁するため内部にはSF6ガスが5気圧(ゲ－ジ圧)充填される。直流フィルターからの出力を伝送する上流部がTL1であり、高電位デッキ1(HVD1)内に据え付ける負イオン生成用電源(欧州調達)からの導体と合流する。合流地点より下流部がTL2であり、高電圧ホールと呼ばれる建屋37から一旦屋外に出る。TL2は屋外で鉛直方向に上がり、屋5外架台に支持され、トカマク建屋(建屋 11)の壁を貫通し、建屋内に末端部が設置される。 トカマク建屋の壁貫通部は、トリチウムの閉じ込め境界となる。伝送ラインの末端部(最下流部)であるTL3は、トカマク建屋のL4フロア天井よりH鋼を組み合わせた吊り下げ構造物からなる建屋内架台によって支持される。TL2及び3 には、負荷(ビーム源)で短絡が生じた際のサージエネルギーを吸収する磁性体からなるコアスナバが組み込まれている。また、TL3では、その容器内部で5つの電位の高電圧導体、負イオン生成電源用導体、冷却水、ガス用配管、測定用光ファイバや熱電対など全ての導体、配管、計測線が密集している(図1、図3参照)。なお、TLは1号機と2号機とで寸法やレイアウトが異なる。(4) 1 MV絶縁変圧器絶縁変圧器は、欧州が調達するHVD1に5 MVAの交流電力を1次巻線と 2次巻線間で直流 1 MV を絶縁して供給する特殊な変圧器である。変圧器巻線部は絶縁油による油絶縁であり、屋外に設置されている。変圧器 2 次巻線の出力を大気中へ引出す部分には、碍子を用いたコンデンサブッシングと FRP 絶縁円筒からなる二重構造の引出しブッシングが取付けられている。二重構造の中間層には絶縁ガス(SF6 ガス)が封入されており、絶縁が保たれている。引出しブッシングは屋内に設置されている。(5) HVD2SF6ガスを充填した圧力容器に、1 MVの高電位上に設置する加速器に冷却水・ガスを供給する絶縁配管(ウォーターチョーク)を内蔵した機器である。ウォータチョークはFRP製及びセラミック製の絶縁管から構成されている。HVD2 はトカマク建屋内の天井から支持された構造体を介して固定されており、それらの固定条件も NBTF とは異なることに注意すること。(6) 試験用電源(TPS)直流発生器、TL、直流フィルター等上記(1)-(5)の機器を据付けた後、絶縁性能を確認するための試験用電源(直流1.3 MV出力)である。(7) 模擬負荷抵抗器(DL)負荷となるビーム源(負イオン源、加速器)設置前に、1 MV 高電圧電源の出力試験時に接続する模擬負荷である。(8) 短絡ギャップ(SCD)高電圧電源は、負荷での短絡発生時に、ビーム源に流入するエネルギーを許容値以下に抑えるように設計する。短絡ギャップは、高電圧電源機器据付後の動作試験の一環でHVブッシングの末端に取付けて使用する放電ギャップ装置である。ビーム源を模擬した5段構造であり、1段あたり 0.2MVを印加して短絡を発生させる装置である。(9) HVブッシングSF6ガス絶縁方式のTL内を伝送する各電位の高電圧導体や冷却水配管を真空領域に導入する大型の絶縁導入器の役割を担っている。大口径セラミックリング(内径 1.46 m)とFRP絶縁管を同心円上に配置し、ステンレスフランジを介して 5段積み重ねて 1 MVを絶縁しながら、内部の真空領域に、0.2 MV～1 MVの各電位の電力導体、冷却水配管、ガス配管を引込み、真空中のビーム源に高電圧及び負イオン生成用電力を供給する。内部の真空領域には、1MV真空絶縁のために、同心円状に各中間電位を供給する大型円筒導体と分岐させた小径の冷却水配管を導体に沿わせた5層構造の円筒電極が配置される。(10) 空気循環器HV ブッシングの大口径セラミックリングと FRP リングの中間の領域(中間層)には、電気6絶縁のために外部に封入する SF6ガスが真空側に流入するのを防ぐために4-5気圧(ゲージ圧)の乾燥空気を封入し、かつ循環させる。中間層内の部分放電によりラジカルが発生し、耐電圧性能の低下を防ぐために乾燥空気を循環させるとともに、FRP リングとステンレスフランジ間の気密が劣化して、SF6 ガスが混入した場合に、循環系の末端に設置する SF6 ガス検出器で検知する。循環経路は、コンプレッサーで圧縮した乾燥空気をHVブッシングの最下段(接地電位)部か導入し、頂部(1MV電位部)から取り出し、TL3を通過し、絶縁配管を用いて絶縁しながらHVD2端部の接地電位に戻し、SF6ガス検出器に接続する。2.3. 作業内容(1) 高電圧電源の保護システムの検討① 高電圧電源の保護信号の検討- 異常発生時に高電圧電源を保護するために、各機器からの出力信号を表にまとめ、機器の保護に必要な信号の生成や保護動作の範囲を検討すること。- 機器やシステムの保護のために追加が必要と考えられる信号があれば、信号取り合い表に追加して提案すること。- 追加提案する信号に関して、適用可能な信号検出計器等に関しても提案すること。② 高電圧電源の保護システム強化の検討- 負荷や高電圧電源機器内部で絶縁破壊等の異常が発生した場合、電源機器の破損を防止する観点から構成機器の運転を停止する必要がある。そこで、ITER機構から提示された最新の単線接続図を基に、構成機器を安全に停止するに必要な条件・順序等を検討し、その結果を表にまとめて報告すること。- 電源運転時に電圧、電流異常を監視する計器は絶縁ガスを封入したDCF内に設置されているため、計器類が故障した場合、修理により ITERの運転が妨げられる。 そこで、異常検出のための計器類は故障を避ける、又は故障時に容易に交換ができるよう、DCF に内蔵される計器類に関して、二重化(多重化)及び冗長化等により保護システムの強化を検討すること。(2) ITER NBI高電圧電源機器の接地系統の検討長大な電源機器において、接地の取り方は、各部に発生するサージ電圧の大きさ、分布に大きく影響するため、既存設備を調査し、サージ抑制の観点から ITER NBI 用の接地系を検討すること。- 高電圧電源の接地系に関し、既設NBIの調査結果を基に、ITER NBI電源機器を保護するための接地系統案を提案すること。- 提案する ITER NBI電源用の接地系とNBTFの接地系と比較して、その利害得失を比較表にまとめること。- また、接地系を含む高圧電源系全体に追加することにより、サージ電圧・電流の低減に有効と考えられる保護素子も提案すること。(3) 短絡発生個所によらず、サージを計測するための技術検討ITER NBI、NBTF では、ビーム源(負イオン源・加速器)のみでなく、伝送ライン等電源機器中でも短絡が生じ、サージが発生し得る。そこで、既存機器の調査から、短絡の発生し得る場所を検討し、いずれの場所で短絡が発生したとしても、ビーム源及び電源機器の保護できるよう、サージ計測に関する以下の検討を行うこと。① 高電圧電源システムの系統図を参照し、サージ計測が必要な箇所を抽出すること。② 上記の計測箇所に適用するサージ電圧計測用機器に必要な仕様(計器の種類、周波数特性、絶縁耐力、耐ノイズ性等)を検討すること。③ 上記の計測箇所に適用するサージ電流計測用機器に必要な仕様(計器の種類、周7波数特性、絶縁耐力、耐ノイズ性等)を検討すること。④ 計測した信号をデータ収集系に伝送するための機器の仕様(信号の伝送方式、周波数特性、絶縁耐力、耐ノイズ性等)について検討すること。(4) 高電圧電源の個別機器の保護検討① 1MV絶縁変圧器保護検討NBTFにおける1MV絶縁変圧器の耐サージ保護を参照し、ITER NBIの電源システムに適合する1MV絶縁変圧器用耐サージ保護を検討すること。② 直流発生器整流器保護検討NBTFにおける直流発生器の耐サージ保護を参照し、ITER NBIの電源システムに適合する直流発生器用耐サージ保護を検討すること。(5) 提出図書の作成納期までにすべての作業内容をまとめた作業報告書を提出すること。進捗確認の一環で、当該月に実施した作業内容をまとめた進捗報告書を毎月末に提出すること。以上8図1 ITER NBIの鳥瞰図9図2 ITER NBIの電源回路10図3 ITER NBIのシステム構成別紙知的財産権特約条項(知的財産権等の定義)第１条 この特約条項において「知的財産権」とは、次の各号に掲げるものをいう。一 特許法(昭和34年法律第121号)に規定する特許権、実用新案法(昭和34年法律第123号)に規定する実用新案権、意匠法(昭和34年法律第125号)に規定する意匠権、半導体集積回路の回路配置に関する法律(昭和60年法律第43号)に規定する回路配置利用権、種苗法(平成10年法律第83号)に規定する育成者権及び外国における上記各権利に相当する権利(以下総称して「産業財産権等」という。)二 特許法に規定する特許を受ける権利、実用新案法に規定する実用新案登録を受ける権利、意匠法に規定する意匠登録を受ける権利、半導体集積回路の回路配置に関する法律に規定する回路配置利用権の設定の登録を受ける権利、種苗法に規定する品種登録を受ける地位及び外国における上記各権利に相当する権利三 著作権法(昭和45年法律第48号)に規定する著作権(著作権法第21条から第28条までに規定する全ての権利を含む。)及び外国における著作権に相当する権利(以下総称して「著作権」という。)四 前各号に掲げる権利の対象とならない技術情報のうち、秘匿することが可能なものであって、かつ、財産的価値のあるものの中から、甲乙協議の上、特に指定するもの(以下「ノウハウ」という。)を使用する権利２ この特約条項において「発明等」とは、次の各号に掲げるものをいう。一 特許権の対象となるものについてはその発明二 実用新案権の対象となるものについてはその考案三 意匠権、回路配置利用権及び著作権の対象となるものについてはその創作、 育成者権の対象となるものについてはその育成並びにノウハウを使用する権利の対象となるものについてはその案出３ この契約書において知的財産権の「実施」とは、特許法第２条第３項に定める行為、実用新案法第２条第３項に定める行為、意匠法第２条第２項に定める行為、半導体集積回路の回路配置に関する法律第２条第３項に定める行為、種苗法第２条第５項に定める行為、著作権法第21条から第28条までに規定する全ての権利に基づき著作物を利用する行為、種苗法第２条第５項に定める行為及びノウハウを使用する行為をいう。(乙が単独で行った発明等の知的財産権の帰属)第２条 甲は、本契約に関して、乙が単独で発明等行ったときは、乙が次の各号のいずれの規定も遵守することを書面にて甲に届け出た場合、当該発明等に係る知的財産権を乙から譲り受けないものとする。一 乙は、本契約に係る発明等を行った場合には、次条の規定に基づいて遅滞なくその旨を甲に報告する。二 乙は、甲が国の要請に基づき公共の利益のために特に必要があるとしてその理由を明らかにして求める場合には、無償で当該知的財産権を実施する権利を国に許諾する。三 乙は、当該知的財産権を相当期間活用していないと認められ、かつ、当該知的財産権を相当期間活用していないことについて正当な理由が認められない場合において、甲が国の要請に基づき当該知的財産権の活用を促進するために特に必要があるとしてその理由を明らかにして求めるときは、当該知的財産権を実施する権利を第三者に許諾する。四 乙は、第三者に当該知的財産権の移転又は当該知的財産権についての専用実施権(仮専用実施権を含む。)若しくは専用利用権の設定その他日本国内において排他的に実施する権利の設定若しくは移転の承諾(以下「専用実施権等の設定等」という。)をするときは、合併又は分割により移転する場合及び次のイからハまでに規定する場合を除き、あらかじめ甲に届け出、甲の承認を受けなければならない。イ 子会社(会社法(平成17年法律第86号)第２条第３号に規定する子会社をいう。以下同じ。)又は親会社(会社法第２条第４号に規定する親会社をいう。以下同じ。 )に当該知的財産権の移転又は専用実施権等の設定等をする場合ロ 承認ＴＬＯ(大学等における技術に関する研究成果の民間事業者への移転の促進に関する法律(平成10年法律第52号)第４条第１項の承認を受けた者(同法第５条第１項の変更の承認を受けた者を含む。))又は認定ＴＬＯ(同法第11条第１項の認定を受けた者)に当該知的財産権の移転又は専用実施権等の設定等をする場合ハ 乙が技術研究組合である場合、乙がその組合員に当該知的財産権を移転又は専用実施権等の設定等をする場合２ 乙は、前項に規定する書面を提出しない場合、甲から請求を受けたときは当該知的財産権を甲に譲り渡さなければならない。３ 乙は、第１項に規定する書面を提出したにもかかわらず、同項各号の規定のいずれかを満たしておらず、かつ、満たしていないことについて正当な理由がないと甲が認める場合において、甲から請求を受けたときは当該知的財産権を無償で甲に譲り渡さなければならない。(知的財産権の報告)第３条 前条に関して、乙は、本契約に係る産業財産権等の出願又は申請を行うときは、出願又は申請に際して提出すべき書類の写しを添えて、あらかじめ甲にその旨を通知しなければならない。２ 乙は、産業技術力強化法(平成12年法律第44号)第17条第１項に規定する特定研究開発等成果に該当するもので、かつ、前項に係る国内の特許出願、実用新案登録出願、意匠登録出願を行う場合は、特許法施行規則(昭和35年通商産業省令第10号)、実用新案法施行規則(昭和35年通商産業省令第11号)及び意匠法施行規則(昭和35年通商産業省令第12号)等を参考にし、当該出願書類に国の委託事業に係る研究の成果による出願である旨を表示しなければならない 。３ 乙は、第１項に係る産業財産権等の出願又は申請に関して設定の登録等を受けた場合には、設定の登録等の日から60日以内(ただし、外国にて設定の登録等を受けた場合は90日以内)に、甲にその旨書面により通知しなければならない。４ 乙は、本契約に係る産業財産権等を自ら実施したとき及び第三者にその実施を許諾したとき(ただし、第５条第４項に規定する場合を除く。)は、実施等した日から60日以内(ただし、外国にて実施等をした場合は90日以内)に、甲にその旨書面により通知しなければならない。５ 乙は、本契約に係る産業財産権等以外の知的財産権について、甲の求めに応じて、自己による実施及び第三者への実施許諾の状況を書面により甲に報告しなければならない。(乙が単独で行った発明等の知的財産権の移転)第４条 乙は、本契約に関して乙が単独で行った発明等に係る知的財産権を第三者に移転する場合(本契約の成果を刊行物として発表するために、当該刊行物を出版する者に著作権を移転する場合を除く。)には、第２条から第６条まで及び第12条の規定の適用に支障を与えないよう当該第三者に約させなければならない。２ 乙は、前項の移転を行う場合には、当該移転を行う前に、甲にその旨書面により通知し、あらかじめ甲の承認を受けなければならない。ただし、乙の合併又は分割により移転する場合及び第２条第１項第４号イからハまでに定める場合には、この限りでない。３ 乙は、第１項に規定する第三者が乙の子会社又は親会社(これらの会社が日本国外に存する場合に限る。)である場合には、同項の移転を行う前に、甲に事前連絡の上、必要に応じて甲乙間で調整を行うものとする。４ 乙は、第１項の移転を行ったときは、移転を行った日から60日以内(ただし、外国にて移転を行った場合は90日以内)に、甲にその旨書面により通知しなければならない。５ 乙が第１項の移転を行ったときは、当該知的財産権の移転を受けた者は、当該知的財産権について、第２条第１項各号及び第３項並びに第３条から第６条まで及び第12条の規定を遵守するものとする。(乙が単独で行った発明等の知的財産権の実施許諾)第５条 乙は、本契約に関して乙が単独で行った発明等に係る知的財産権について第三者に実施を許諾する場合には、第２条、本条及び第12条の規定の適用に支障を与えないよう当該第三者に約させなければならない。２ 乙は、本契約に関して乙が単独で行った発明等に係る知的財産権に関し、第三者に専用実施権等の設定等を行う場合には、当該設定等を行う前に、甲にその旨書面により通知し、あらかじめ甲の書面による承認を受けなければならない。ただし、乙の合併又は分割により移転する場合及び第２条第１項第４号イからハまでに定める場合は、この限りではない。３ 乙は、前項の第三者が乙の子会社又は親会社(これらの会社が日本国外に存する場合に限る。)である場合には、同項の専用実施権等の設定等を行う前に、甲に事前連絡のうえ、必要に応じて甲乙間で調整を行うものとする。４ 乙は、第２項の専用実施権等の設定等を行ったときは、設定等を行った日から60日以内(ただし、外国にて設定等を行った場合は90日以内)に、甲にその旨書面により通知しなければならない。５ 甲は、本契約に関して乙が単独で行った発明等に係る知的財産権を無償で自ら試験又は研究のために実施することができる。甲が 甲のために第三者に製作させ、又は業務を代行する第三者に再実施権を許諾する場合は、乙の承諾を得た上で許諾するものとし、その実施条件等は甲乙協議のうえ決定する。(乙が単独で行った発明等の知的財産権の放棄)第６条 乙は、本契約に関して乙が単独で行った発明等に係る知的財産権を放棄する場合は、当該放棄を行う前に、甲にその旨書面により通知しなければならない。(甲及び乙が共同で行った発明等の知的財産権の帰属)第７条 甲及び乙は、本契約に関して甲乙共同で発明等を行ったときは、当該発明等に係る知的財産権について共同出願契約を締結し、甲乙共同で出願又は申請するものとし、当該知的財産権は甲及び乙の共有とする。ただし、乙は、次の各号のいずれの規定も遵守することを書面にて甲に届け出なければならない。一 乙は、甲が国の要請に基づき公共の利益のために特に必要があるとしてその理由を明らかにして求める場合には、無償で当該知的財産権を実施する権利を国に許諾する。二 乙は、当該知的財産権を相当期間活用していないと認められ、かつ、当該知的財産権を相当期間活用していないことについて正当な理由が認められない場合において、甲が国の要請に基づき当該知的財産権の活用を促進するために特に必要があるとしてその理由を明らかにして求めるときは、当該知的財産権を実施する権利を甲が指定する 第三者に許諾する。 ２ 前項の場合、出願又は申請のための費用は原則として、甲、乙の持分に比例して負担するものとする。３ 乙は、第１項に規定する書面を提出したにもかかわらず、同項各号の規定のいずれかを満たしておらず、さらに満たしていないことについて正当な理由がないと甲が認める場合において、甲から請求を受けたときは当該知的財産権のうち乙が所有する部分を無償で甲に譲り渡さなければならない。(甲及び乙が共同で行った発明等の知的財産権の移転)第８条 甲及び乙は、本契約に関して甲乙共同で行った発明等に係る共有の知的財産権のうち、自らが所有する部分を相手方以外の第三者に移転する場合には、当該移転を行う前に、その旨を相手方に書面により通知し、あらかじめ相手方の書面による同意を得なければならない。(甲及び乙が共同で行った発明等の知的財産権の実施許諾)第９条 甲及び乙は、本契約に関して甲乙共同で行った発明等に係る共有の知的財産権について第三者に実施を許諾する場合には、その許諾の前に相手方に書面によりその旨通知し、あらかじめ相手方の書面による同意を得なければならない。(甲及び乙が共同で行った発明等の知的財産権の実施)第10条 甲は、本契約に関して乙と共同で行った発明等に係る共有の知的財産権を試験又は研究以外の目的に実施しないものとする。ただし、甲は甲のために第三者に製作させ、又は業務を代行する第三者に実施許諾する場合は、無償にて当該第三者に実施許諾することができるものとする。２ 乙が本契約に関して甲と共同で行った発明等に係る共有の知的財産権について自ら商業的実施をするときは、甲が自ら商業的実施をしないことに鑑み、乙の商業的実施の計画を勘案し、事前に実施料等について甲乙協議の上、別途実施契約を締結するものとする。(甲及び乙が共同で行った発明等の知的財産権の放棄)第11条 甲及び乙は、本契約に関して甲乙共同で行った発明等に係る共有の知的財産権を放棄する場合は、当該放棄を行う前に、その旨を相手方に書面により通知し、あらかじめ相手方の書面による同意を得なければならない。(著作権の帰属)第12条 第２条第１項及び第７条第１項の規定にかかわらず、本契約の目的として作成され納入される著作物に係る著作権については、全て甲に帰属する。２ 乙は、前項に基づく甲及び甲が指定する 第三者による実施について、著作者人格権を行使しないものとする。また、乙は、当該著作物の著作者が乙以外の者であるときは、当該著作者が著作者人格権を行使しないように必要な措置を執るものとする。３ 乙は、本契約によって生じた著作物及びその二次的著作物の公表に際し、本契約による成果である旨を明示するものとする。(合併等又は買収の場合の報告等)第13条 乙は、合併若しくは分割し、又は第三者の子会社となった場合(乙の親会社が変更した場合を含む。第３項第１号において同じ。)は、甲に対しその旨速やかに報告しなければならない。２ 前項の場合において、国の要請に基づき、国民経済の健全な発展に資する観点に照らし、本契約の成果が事業活動において効率的に活用されないおそれがあると甲が判断したときは、乙は、本契約に係る知的財産権を実施する権利を甲が指定する者に許諾しなければならない。３ 乙は、本契約に係る知的財産権を第三者に移転する場合、次の各号のいずれの規定も遵守することを当該移転先に約させなければならない。一 合併若しくは分割し、又は第三者の子会社となった場合は、甲に対しその旨速やかに報告する。二 前号の場合において、国の要請に基づき、国民経済の健全な発展に資する観点に照らし本業務の成果が事業活動において効率的に活用されないおそれがあると甲が判断したときは、本契約に係る知的財産権を実施する権利を甲が指定する者に許諾する。三 移転を受けた知的財産権をさらに第三者に移転するときは、本項各号のいずれの規定も遵守することを当該移転先に約させる。(秘密の保持)第14条 甲及び乙は、第２条及び第７条の発明等の内容を出願公開等により内容が公開される日まで他に漏えいしてはならない。ただし、あらかじめ書面により出願又は申請を行った者の了解を得た場合はこの限りではない。(委任・下請負)第15条 乙は、本契約の全部又は一部を第三者に委任し、又は請け負わせた場合においては、当該第三者に対して、本特約条項の各規定を準用するものとし、乙はこのために必要な措置を講じなければならない。２ 乙は、前項の当該第三者が本特約条項に定める事項に違反した場合には、甲に対し全ての責任を負うものとする。(協議)第16条 第２条及び第７条の場合において、単独若しくは共同の区別又は共同の範囲等について疑義が生じたときは、甲乙協議して定めるものとする。(有効期間)第17条 本特約条項の有効期限は、本契約の締結の日から当該知的財産権の消滅する日までとする。以上