（RE-05692）高精度高周波半導体アンプの購入【掲載期間：2026年6月15日～2026年7月6日】

（RE-05692）高精度高周波半導体アンプの購入【掲載期間：2026年6月15日～2026年7月6日】 公告期間： ～ ( )に付します。 1．競争入札に付する事項仕様書のとおり２．入札書等の提出場所等入札説明書等の交付場所及び入札書等の提出場所並びに問い合わせ先(ダイヤルイン)nyuusatsu_qst@qst.go.jp入札説明書等の交付方法上記２．(1)に記載の交付場所または電子メールにより交付する。 ただし、交付は土曜,日曜,祝日及び年末年始(12月29日～1月3日)を除く平日に行う。 電子メールでの交付希望の場合は、「 公告日,入札件名,当機構担当者名,貴社名,住所,担当者所属,氏名,電話,FAX,E-Mail 」を記載し、上記２．(1)のｱﾄﾞﾚｽに送信。 交付の受付期限は の17:00までとする。 入札説明会の日時及び場所入札関係書類及び 技術審査資料 の提出期限開札の日時及び場所令和 8 年 6 月 15日国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構財 務 部 長 服部 雅彦記(1)件 名 高精度高周波半導体アンプの購入R8.6.15 R8.7.6 購入入 札 公 告下記のとおり 一般競争入札(4)履行場所 仕様書のとおり(1)(2)内 容(3)履行期限 令和9年3月19日E-mail：(2)令和 8 年 7 月 6 日 (月)〒263-8555 千葉県千葉市稲毛区穴川４丁目９番１号ＴＥＬ 043-206-3015 ＦＡＸ 043-251-7979(4)令和 8 年 7 月 7 日(火) 17時00分(5)(3)実 施 し な い財務部 契約課 川畑 夏姫令和 8 年 7 月 21日(火) 13時30分本部(千葉地区) 入札事務室３．競争に参加する者に必要な資格当機構から指名停止措置を受けている期間中の者でないこと。 全省庁統一競争入札参加資格を有する者であること。 当機構が別に指定する誓約書に暴力団等に該当しない旨の誓約をできること。 ４．入札保証金及び契約保証金 免除５．入札の無効入札参加に必要な資格のない者のした入札入札の条件に違反した者の入札６．契約書等作成の要否 要７．落札者の決定方法８．その他中に当機構ホームページにおいて掲載する。 以上 公告する。 (1)国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 契約事務取扱細則第10条の規定に該当しない者であること。ただし、未成年者、被保佐人又は被補助人であって、契約締結のために必要な同意を得ている者についてはこの限りでない。 (2)落札決定に当っては、入札書に記載した金額に当該金額の10パーセントに相当する額を加算した金額(当該金額に1円未満の端数があるときは、その端数を切り捨てた金額とする)をもって落札価格とするので、入札者は、消費税に係る課税事業者であるか免税事業者であるかを問わず、見積もった金額の110分の100に相当する金額を入札書に記載すること。 (2)国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 契約事務取扱細則第11条第１項の規定に該当しない者であること。 (3)(4)(5)(1)当機構の定める契約書(契約金額が500万円以上の場合)もしくは請書(契約金額が500万円未満の場合)を作成するものとする。 上記問い合わせ先宛てに質問書を提出すること。なお、質問に対する回答は令和 8 年 6 月 26日 (金)その他、詳細については、入札説明書によるため、必ず上記２．(2)により、入札説明書の交付を受けること。 (1)この入札に参加を希望する者は、入札書の提出時に、当機構が別に指定する暴力団等に該当しない旨の誓約書を提出しなければならない。 (2)前項の誓約書を提出せず、又は虚偽の誓約をし、若しくは誓約書に反することとなったときは、当該者の入札を無効とするものとする。 (3)(4)本入札に関して質問がある場合には 令和 8 年 6 月 22日 (月) 17:00までに(2)(1)技術審査に合格し、予定価格の制限の範囲内で、最低価格をもって有効な入札を行った入札者を落札者とする。 (最低価格落札方式) 1仕 様 書１．件名高精度高周波半導体アンプの購入２．目的本件は、国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構(以下「QST」という。)が官民地域パートナーシップにより運用する 3GeV 高輝度放射光施設(NanoTerasu)において、高周波を極低ノイズで増幅するための高精度高周波半導体アンプを購入するものである。3. 購入品仕様高周波半導体アンプ(相当品不可)アールアンドケー社製 CA5712BW20-5959RPⅡ １台アールアンドケー社製 CA101K251-5754R. １台3.1 CA5712BW20-5959RPⅡの高周波性能に関する仕様は表1-1の通りとする。表1-1：高周波半導体アンプの高周波性能項目 仕様 備考周波数帯域 5712MHz±10MHz＠Cバンド(CA5712BW20-5959RPⅡ) @-1dB帯域入力レベル １mW入力時に800Wの定格出力が得られること。出力レベル 800Wpeak以上入/出力インピーダンス50Ω (VSWR 1.5以下)RFパルス幅 0.1μs～5μsRFパルス繰返周波数 1pps～60pps位相変化量 ±3度以内@パルス内フラットトップ 電源投入30分経過後から ±1度以内@パルス毎変動RFパルス特性 立上り時間 150ns以下 10%～90%立下り時間 150ns以下 90%～10%オーバーシュート 3% 以下アンダーシュート 3% 以下フラットトップ平坦性 3% 以下目標出力電力変動 3% 以下@パルス毎プレトリガ入力 LVDS(100Ω差動平衡) 2芯コネクタプレトリガパルス幅 2μs負荷条件 全反射において異常が無いこと。冷却条件 冷却方式は空冷とする。発熱 本体の発熱は、100W以下に抑えること。2外形 480W EIA標準シャーシ 高さ4U程度 奥行560mm程度以下重量 50kg以下電源 単相AC100V/200V IEC-C14コネクタIEC-C13 Lock Plus ケーブルを付属のこと。3.1.1制御に関する仕様運転操作として正面パネルで次の操作が行えるようにすること。ローカル操作(1)インターロックの復帰 スイッチ手動又はタッチパネル等の操作。(2)リモート/ローカルの切替 スイッチ手動。(3)FETバイアスDCのON/OFF(パルスアンプ) スイッチ手動又はタッチパネル等の操作。リモート操作(1)On/Offやインターロックリセットなどの動作は、ストローブ信号立ち上がり時に行うこと。(2)EtherCATのインタフェースで以下の制御が行えること。A) FETバイアスDCのON/OFFB) インターロックのリセット3.1.2表示・モニタ次の情報を表示するモニタを表面パネルに設けること。また、EtherCAT経由で状態を監視することができること。(1)電源投入表示(DC ON) LED などにて表示。(2)電源状態表示(P.S.) 表示器にて正常・異常の状態を表示。(3)電圧、電流値を遠隔にて取得できること。(4)温度異常表示(OVER HEAT) LED などにて表示。(5)過剰デュ－ティ表示(TRIG.RATE)＠パルスアンプ LED などにて表示。(6)風量低下(FAN) LED などにて表示。(7)外部インターロック動作(EXTERNAL) LED などにて表示。(8)遠隔、現場の制御状態 遠隔で確認できること。(9)出力電力(OUTPUT POWER) 数値 表示。(パルスアンプについてはピーク又はサンプルホ－ルドを行うこと。)33.1.3高周波モニタ仕様アンプ出力の高周波信号のモニタが可能なように、出力の一部を取り出して、SMAコネクタにて出力すること。Cバンドアンプの結合度 50dB±1dB (SMA-F形コネクタ)3.1.4保護回路装置保護のため、下記保護回路を内蔵し、FETのバイアスを遮断するなど適切な処置を行うこと。(1)過熱 アラ－ム表示。(2)反射電力 内蔵アイソレーターによる保護。(3)過剰デュ－ティ＠パルスアンプ アラ－ム表示。(4)風量インターロック 風量センサなどによる。(5)電源異常インターロック 過電流検出などによる。(6)外部インターロック 接点入力による。(7)内部インターロックのOR信号を接点で出力すること。(8)異常時Open、24V 20mA以下のリレー、又は10mA以下のフォトカプラを駆動可能であること。3.1.5外装・冷却に関する仕様本件の高周波半導体アンプは、EIA規格の幅を持ち高さは4ユニット程度の筐体に収納され、入出力コネクタや電源端子・スイッチ等を実装すること。表面パネルには、入力RFに対し-50dBの結合度をもつ結合器を介したモニタ用コネクタ(SMA－F)、電源オン/オフ表示器、高周波出力電力モニタ表示、アラーム表示、アラームリセットボタン、遠隔・局所切り替えスイッチを取り付けること。裏面には、高周波入力・出力のN型コネクタ各1個、トリガ入力コネクタ、インターロックコネクタ、EtherCATコネクタ、電源入力端子、接地端子を備えること。本体の発熱は100W以下に抑えること。3.1.6試験完成後、工場において下記試験を全数に対して実施し、その試験データを提出すること。また、仕様の性能が満足していることを確認すること。外観、構造、寸法試験(1)有害なキズ、変形、塗装のハガレ等がないことを確認すること。絶縁抵抗試験シーケンス・インターロック試験(1)リモート／ローカルのオン・オフ、インターロック表により項目ごとにチェックすること。4出力試験50Ωダミーロードにより性能の確認を行うこと。１時間以上の連続運転を行い、安定度が仕様を満たしているか確認すること。(1) 最大出力：定格出力が得られることを確認すること。(2) 入出力：励振入力信号強度と出力信号強度の特性を測定すること。(3) 周波数特性：増幅率の周波数特性を測定すること。(4) VSWR 測定：入力、出力の反射特性を測定し表 1−1 の仕様を満たすことを確認すること。(5) 長時間運転：定格出力の条件で、4時間以上連続運転を実施し、出力振幅、位相の測定を行うこと。(6) パルスアンプに対しては高周波出力パルス信号の位相波形、振幅波形を測定し、パルス内の特性が表1−1の仕様を満たすことを確認すること。(7) パルスアンプに対しては繰り返されるパルス信号の波形を計測し、そのジッタ特性が表1−1の仕様を満たすことを確認すること。3.2 CA101K251-5754R.の仕様高周波性能は表1-2を満たすこと。表1-2：CA101K251-5754Rの高周波性能項目 仕様周波数帯域 100 kHz～255 MHz定格出力 250 W (3 dB compression)又はそれ以上小信号ゲイン 57 dB以上 (帯域内平坦度 ±2 dB)入力、出力インピーダンス 50Ω入力、出力コネクタ N型-f電源周波数・電圧 50 / 60 Hz, 単相AC200 V入力VSWR 1.5以下出力VSWR 3.0以下群遅延 270ns (typ.) @100kHz ～ 1MHz, 入力レベル-20dBm100ns (max.) @1MHz ～ 255MHz, 入力レベル-20dBm帯域内偏差 ±2 ns以下 ＠ 1 MHz～255 MHz3.2.1インターロック機能次の条件が生じた場合に、RFスイッチをOFFにし、出力異常の接点信号を出力すること。① 進行波出力、反射波が定格で一定時間以上継続した場合5② 電源の異常③ 温度異常制御① EtherCATによる制御とする。② 次の項目を読み出し可能であること。A) RFスイッチ状態B) 進行波電力状態C) 反射波電力状態D) 電源異常状態E) 温度異常状態F) 個体識別情報③ 次の項目を制御可能とすること。A) RFスイッチ3.2.2冷却① 電源部は冷却ファンによる強制空冷とし、モジュールは水冷とすること。 ② 水冷の冷媒は、外部から供給される温度安定化された純水であり、流量2.5 L/min程度である。③ 継手はRc 3/8程度のクイックカプラとする。内部のねじ込み接続部は全てテフロンシールを巻いてシールし、漏れないことを確認すること。3.2.3付属品ラック内配線用単相200 Vケーブル １本3.2.4試験次の①～⑦についての試験を行うこと。なお、①～⑤については、測定したデータを提出すること。① 小信号入力時のSパラメータを計測し、ゲイン及び群遅延が本件仕様を満たすことを確認すること。② 出力飽和レベルを計測し、本件仕様を満たすことを確認すること。③ 進行波電力過剰インターロック動作レベル及び動作時間を計測すること。④ 反射波電力過剰インターロック動作レベル及び動作時間を計測すること。⑤ RF信号無入力時及び定格運転時の消費電流を記録し、提出すること。⑥ 冷却水による冷却能力についての試験を行うこと。冷却水部分の気密、6耐圧試験を行うこと。⑦ 通信制御試験を行い、正常に通信制御できることを確認すること。４. 納期令和９年３月１９日５. 納入場所宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉468-1NanoTerasu ユーザーズオフィス６．納入条件持込渡しとする。７. 検査条件第５項に示す納入場所に納入後、員数検査、外観検査の合格をもって検査合格とする。また、以下の書類又は提出物を日本語で作成して提出すること。図 書 名 提 出 時 期 部数① 完成図 検収前 １部② 試験検査成績書 検収前 １部③ 取扱説明書 検収前 １部④ 参考データ 検収前 １部これら①～④をそれぞれ印刷してA4ファイルに綴じ、表紙と目次を付けたものを「完成図書」として1冊提出すること。また、①〜④の電子ファイルをＣＤ−Ｒなどの記録媒体に収めた物を、上記の「完成図書」に綴じて提出すること。８. 契約不適合責任契約不適合責任については、契約条項のとおりとする９. グリーン購入法の推進本契約において、グリーン購入法(国等による環境物品等の調達の推進等に関する法律)に適用する環境物品(事務用品、ＯＡ機器等)の採用が可能な場合は、これを採用するものとする。710. 協議本仕様書に記載されている事項及び本仕様書に記載のない事項について疑義が生じた場合は、QSTと協議のうえ、その決定に従うものとする｡(要求者)部課室名： NanoTerasuセンター高輝度放射光研究開発部 加速器グループ氏 名： 上島 考太